Home Teknoloji Samsung ve IBM, Şarj Sorununu Birlikte Çözecek

Samsung ve IBM, Şarj Sorununu Birlikte Çözecek

0
Samsung ve IBM, Şarj Sorununu Birlikte Çözecek
Samsung ve IBM, yeni bir işlemci tasarımı üzerinde birlikte çalışmalara başladı. İki dev teknoloji şirketi akıllı telefonların en önemli sorunlarından birini çözmek için çalışıyor. İkili akıllı telefonlardaki şarj problemini çözecek. Samsung ve IBM, yaptıkları iş birliğinin ardından ilk ürünlerini dünyaya sunmak için hazırlanıyorlar. Yeni bir işlemci üzerinde çalışan iki teknoloji şirketi, önemli bir yol kat etti. Yarı iletkenlerin kullanım şeklini değiştirmesi planlanan yeniliğin, akıllı telefon dünyasındaki en önemli sorunun üstesinden gelmesi bekleniyor. İlk gelen bilgilere göre, eğer geliştirmeler olumlu bir şekilde devam ederse akıllı telefon kullanıcıları için büyük bir yenilik olacak. 

Samsung Ve IBM Tasarımın Ayrıntılarını Paylaştı

Samsung ve IBM’nin yeni projesinin geliştirme süreci devam ediyor. Bu proje sayesinde firmalar, teknoloji dünyasındaki önemli sorunlardan birini giderebilecek. İki şirketin üretecekleri yeni yarı iletken ile şarj sorunu tamamen bitebilir. Transistör dizilimini değiştirmeyi deneyen Samsung ve IBM, bu konuda açıklayıcı bir videoyu Youtube üzerinden paylaştı. https://www.youtube.com/watch?v=OF3Zwfu6Ngc&feature=emb_title Paylaşılan videoda, hem sistemin ne olduğu açıklandı hem de ilk kez yeni işlemcilerin dizilimi gösterildi. Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistör (VTFET) ismi verilen tasarım, günümüzün en gelişmiş yongalarından bazıları için kullanılan mevcut FinFET teknolojisine ulaşmayı hedefliyor. Yepyeni bir tasarım olan bu teknoloji ile transistörler dikey bir şekilde dizilecek. Çoğu işlemcide yan yana dizilim yer alıyorken bu tasarımda yer alan dikey dizilim sayesinde akımın da aynı şekilde ilerlemesi sağlanacak.  Yeni tasarım ile enerji kullanımının minimuma indirilmesi planlanıyor. Bunun yanı sıra yeni tasarımın etkileri de geniş olacak. Samsung ve IBM, akıllı telefonların bataryalarının haftalarca dayanmasının, daha az enerji tüketen kripto para madenciliğinin veya güvenli veri şifrelenmesinin ancak bu teknoloji ile mümkün olacağını belirtti. Geçen dönemlerde 2 nm’lik işlemci tanıtan IBM, FinFET tasarımını kullanıyor. Ancak son gelişmelerden sonra VTFET teknolojisini de kullanmaya başlayabileceği öngörülmekte. Henüz kullanıcıya ulaşmasına uzun zaman olan tasarımın, teknoloji dünyasında pek çok şeyi değiştirmesi de bekleniyor. Bununla birlikte edinilen bilgilere göre Intel tarafından da benzer bir atılım gelmesi ihtimali var.

Fatal error: Uncaught Error: Call to undefined function _prime_comment_caches() in /home/freelancer/girisimio/wp-includes/class-wp-comment-query.php:470 Stack trace: #0 /home/freelancer/girisimio/wp-includes/class-wp-comment-query.php(347): WP_Comment_Query->get_comments() #1 /home/freelancer/girisimio/wp-includes/class-wp-comment-query.php(304): WP_Comment_Query->query() #2 /home/freelancer/girisimio/wp-includes/comment-template.php(1477): WP_Comment_Query->__construct() #3 /home/freelancer/girisimio/wp-content/themes/Newspaper/single.php(21): comments_template() #4 /home/freelancer/girisimio/wp-includes/template-loader.php(106): include('...') #5 /home/freelancer/girisimio/wp-blog-header.php(19): require_once('...') #6 /home/freelancer/girisimio/index.php(5): require('...') #7 {main} thrown in /home/freelancer/girisimio/wp-includes/class-wp-comment-query.php on line 470